在找绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测机构?百检网为您提供绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测服务,专业工程师对接确认项目、标准后制定方案,包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测周期、报价、样品等,确认无误后安排寄样检测,绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测常规周期3-15个工作日,欢迎咨询。
检测样品:纺织品、化妆品、食品、农产品、绝缘工具、五金件等
报告资质:CNAS/CMA/CAL
报告周期:常规3-15个工作日,特殊样品、检测项目除外。
检测费用:根据检测项目收费,详情请咨询百检网。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测项目:
关断期间的各时间间隔和关断能量,反向传输电容,开通期间的各时间间隔和开通能量,最大集电极峰值电流,最大集电极电流,栅极漏电流IGES,栅极电荷,栅极-发射极阈值电压VGEth,输入电容,输出电容,集电极-发射极击穿电压V(BR)CES,集电极截止电流ICES,集电极-发射极电压,集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压,集电极-发射极饱和电压VCEsat,栅极-发射极阈值电压,栅极漏电流,稳态湿热偏置寿命,结-壳热阻,间歇工作寿命(负载循环),集电极-发射极饱和电压,集电极截止电流,高温栅极偏置,高温阻断,发射极—集电极的击穿电压V(BR)ECO,栅极—发射极的漏电流IGES,栅极阈电压VGE(th),正向跨导gm,集电极—发射极的击穿电压V(BR)CEO,集电极—发射极的饱和电压VCEsat,零栅压时的集电极电流ICES,集电极-发射极饱和电压,栅极-发射极阈值电压,最大反偏安全工作区,最大短路安全工作区1,最大短路安全工作区2,开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton)和开通能量Eon,关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff、tz)和关断能量Eoff,结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗,集电极-发射极击穿电压,发射极—集电极的击穿电压,栅极—发射极的漏电流,栅极阈电压,集电极—发射极的击穿电压,集电极—发射极的饱和电压,零栅压时的集电极电流,正向跨导
百检检测流程:
1、电话沟通、确认需求;
2、推荐方案、确认报价;
3、邮寄样品、安排检测;
4、进度跟踪、结果反馈;
5、出具报告、售后服务;
6、如需加急、优先处理;
绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测标准:
1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5
2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3
3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5
4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4
5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2
6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007
7、GB/T 4587-1994 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9
9、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 Ⅳ2
10、IEC 60749-5:2017 半导体器件机械和气候试验方法 第5部分:稳态湿热偏置寿命试验
11、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
12、 GB/T 29332-201 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012
13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3
14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4
15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2
16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3
17、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
18、 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012
19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12
20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11
一份检测报告有什么用?
产品检测报告主要反映了产品各项指标是否达到标准中的合格要求,能够为企业产品研发、投标、电商平台上架、商超入驻、学校科研提供客观的参考。
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